SCT055W65G3-4AG

SCT055W65G3-4AG

رقم القطعة
SCT055W65G3-4AG
فئات المنتجات
FETs الفردية، MOSFETs
الصانع
STMicroelectronics
يصف
TO247-4
تغليف
-
طَرد
أنبوب
حالة بنفايات
Yes
سعر
USD $5.3160
ورقة البيانات
-
كمية
طلب عرض الأسعار
في الأوراق المالية: 20000
الأصغر : 600
عديد : 1
كمية
سعر الوحدة
سعر
600
$5.3160
$3,189.6000
نموذج بديل
SCT055W65G3-4AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
نموذج مماثل
SCT055W65G3-4AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
msg
الشراء والاستفسار
تخصيص
النقل
ورقة البيانات
يكتبوصف
MFRSTMicroelectronics
مسلسل-
طَردأنبوب
حالة المنتجACTIVE
الحزمة / القضيةTO-247-4
نوع التركيبThrough Hole
درجة حرارة التشغيل-55°C ~ 200°C (TJ)
تكنولوجياSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
نوع فيتN-Channel
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs72mOhm @ 15A, 18V
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)210W (Tc)
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف4.2V @ 1mA
حزمة جهاز الموردTO-247-4
درجةAutomotive
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)15V, 18V
في جي إس (الحد الأقصى)+18V, -5V
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)650 V
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs32 nC @ 18 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds721 pF @ 40 V
مؤهلAEC-Q101

رسوم الشحن


يبدأ الشحن بسعر 40 دولارًا، ولكن يمكن أن يزيد عن 40 دولارًا في بعض البلدان. على سبيل المثال (جنوب أفريقيا، البرازيل، الهند، باكستان، إسرائيل، إلخ.)
تعتمد رسوم الشحن الأساسية (الحزمة ≥0.5 كجم أو الحجم المقابل) على المنطقة الزمنية والبلد.


طريقة البريد


حاليًا، يتم شحن منتجاتنا عبر DHL وFedEx وSF وUPS.


موعد التسليم


بمجرد شحن البضائع، يعتمد وقت التسليم المقدر على طريقة الشحن التي تختارها:

فيديكس الدولية، 5-7 أيام عمل.

فيما يلي الأوقات اللوجستية لبعض البلدان المشتركة.

transport

SCT055W65G3-4AG معلومات ذات صله
أجزاء البيع الساخنة
فئات ذات صلة